Lakabka oksaydhka kulaylka ee wafer silikoon waa lakabka oksaydhka ama lakabka silica ee lagu sameeyay dusha qaawan ee maraqa silikoon ee hoos yimaada xaaladaha heerkul sare oo leh wakiilka oksaydhka.Lakabka oksaydhka kulaylka ee wafer silikoon waxaa sida caadiga ah lagu koray foornada tuubada toosan, iyo heerkulka kobaca guud ahaan waa 900 ° C ~ 1200 ° C, waxaana jira laba nooc oo koritaanka "oxidation qoyan" iyo "oxidation qalalan".Lakabka oksaydhka kuleylku waa lakabka oksaydh "koray" kaas oo leh isku-nnaanshaha sare iyo awood koronto ka saraysa marka loo eego lakabka oksaydhka ee CVD.Lakabka oksaydhka kulaylka waa lakabka dielectric aad u fiican sida insulator.Qalab badan oo silikoon ku salaysan, lakabka oksaydhka kulaylka ayaa door muhiim ah ka ciyaara sida lakabka xannibaya doping iyo dielectric dusha sare ah.
Talooyin: Nooca Oxidation
1. oksaydhaynta qalalan
Silikoonku waxa uu la falgalaa ogsijiin, lakabka oksaydhkuna waxa uu u dhaqaaqaa dhinaca lakabka basal.oksaydhka qallalan wuxuu u baahan yahay in lagu sameeyo heerkul ah 850 ilaa 1200 ° C, heerka korriinkana wuu hooseeyaa, kaas oo loo isticmaali karo kobaca albaabka dahaarka MOS.Marka tayada sare, lakabka aadka u khafiifka ah ee silicon oxide loo baahan yahay, oksaydhka qallalan ayaa laga door bidaa oksaydhka qoyan.
Awoodda oksaydhka qallalan: 15nm ~ 300nm (150A ~ 3000A)
2. oksidation qoyan
Habkani wuxuu isticmaalaa isku dhafka hydrogen iyo ogsijiin nadiif ah oo sarreeya si uu ugu gubo ~ 1000 ° C, sidaas darteed soo saarista uumiga biyaha si ay u sameeyaan lakabka oksaydhka.Inkasta oo oxidation qoyan uusan soo saari karin sida lakabka oksaydhka tayada sare leh sida oksida qalalan, laakiin ku filan in loo isticmaalo aagga go'doominta, marka la barbardhigo oksaydhka qalalan ayaa leh faa'iido cad oo ah in uu leeyahay heerka koritaanka sare.
Awoodda oksaydhka qoyan: 50nm ~ 15µm (500A ~ 15µm)
3. Habka qallalan - habka qoyan - habka qalalan
Habkan, ogsijiin qallalan oo saafi ah ayaa lagu sii daayaa foornada oksaydhka marxaladda hore, hydrogen waxaa lagu daraa bartamaha oksaydhka, hydrogen ayaa lagu kaydiyaa dhamaadka si ay u sii wado oksaydhka oo leh oksijiin qallalan oo saafi ah si ay u sameyso qaab dhismeed cufan habka oksaydheynta qoyan ee caadiga ah ee qaabka uumiga biyaha.
4. TEOS oxidation
| Farsamada Oxidation-ka | oksaydheynta qoyan ama oksaydhaynta qalalan |
| Dhexroorka | 2 " / 3" / 4" / 6" / 8" / 12" |
| Dhumucda oksaydhka | 100 Å ~ 15µm |
| Dulqaad | +/- 5% |
| Dusha sare | Oxidation Hal Side (SSO) |
| Foornada | Foornada tuubada horizontal |
| Gaas | Hydrogen iyo Ogsajiinta |
| Heerkulka | 900 ℃ ~ 1200 ℃ |
| Tilmaanta refractive | 1.456 |
