Semicera'sSiC paddleswaxaa loo naqshadeeyay fidinta kulaylka ugu yar, siinaya xasillooni iyo saxnaanta hababka halka saxnaanta cabbirku ay muhiim tahay. Tani waxay ka dhigeysaa mid ku habboon codsiyada halkawaferswaxaa lagu soo noqnoqda kulaylka iyo qaboojinta wareegyada, maadaama doonta wafer ay ilaalinayso qaabdhismeedkeeda, hubinta waxqabad joogto ah.
Isku darka Semicera'ssilikoon carbide paddles faafintaSoo gelista khadkaaga wax soo saarku waxay kor u qaadi doontaa isku halaynta nidaamkaaga, iyada oo ay ugu wacan tahay kuleylkooda iyo kuwa kiimikada ee sarreeya. Paddles-yadani waxay ku fiican yihiin faafinta, oksaydheynta, iyo hababka nuugista, hubinta in maraqyada si taxadar leh loogu maareeyo tallaabo kasta.
Hal-abuurnimadu waa udub dhexaadka Semicera'sSiC paddlenaqshadeynta. Paddles-yadan waxaa loo habeeyey inay si aan kala go' lahayn ugu habboonaadaan qalabka semiconductor ee jira, iyagoo siinaya hufnaan la tacaalid. Qaab dhismeedka miisaanka fudud iyo naqshadaynta ergonomic kaliya ma wanaajinayso gaadiidka waferka laakiin sidoo kale waxay yaraynaysaa wakhtiga hoos u dhaca shaqada, taasoo keentay wax soo saar toos ah.
| Astaamaha jireed ee Silicon Carbide dib loo soo celiyay | |
| Hanti | Qiimaha caadiga ah |
| Heerkulka shaqada (°C) | 1600°C (oo oksijiin leh), 1700°C (hoos u dhaca deegaanka) |
| Nuxurka SiC | > 99.96% |
| Ka kooban Si bilaash ah | <0.1% |
| Cufnaanta weyn | 2.60-2.70 g/cm3 |
| Borosity muuqda | <16% |
| Xoog cadaadis | > 600 MPa |
| Xoog laabashada qabow | 80-90 MPa (20°C) |
| Xoog foorarsi kulul | 90-100 MPa (1400°C) |
| Balaadhinta kulaylka @1500°C | 4.70 10-6/°C |
| Dhaqdhaqaaqa kulaylka @1200°C | 23 W/m•K |
| modules laastikada | 240 GPA |
| Iska caabbinta shoogga kulaylka | Aad u wanaagsan |
