Sida mid ka mid ah qaybaha asaasiga ah eeQalabka MOCVD, saldhigga graphite waa side iyo jidhka kuleyliyaha ee substrate, kaas oo si toos ah u go'aamiya lebiska iyo daahirsanaanta walxaha filimka, sidaas darteed tayadiisa waxay si toos ah u saameyneysaa diyaarinta xaashida epitaxial, isla mar ahaantaana, iyadoo la kordhinayo tirada isticmaalka iyo isbeddelka xaaladaha shaqada, aad bay u fududahay in la xidho, oo ka tirsan alaabooyinka.
In kasta oo graphite leeyahay conductivity kaamerada heer sare ah iyo xasiloonida, waxa uu leeyahay faa'iido wanaagsan sida qayb ka mid ah saldhiggaQalabka MOCVD, laakiin habka wax-soo-saarka, graphite ayaa dabar-goyn doona budada sababtoo ah hadhaaga gaaska daxalka ah iyo organic organics, iyo nolosha adeegga ee saldhigga graphite ayaa si weyn loo dhimi doonaa.Isla mar ahaantaana, budada garaafka ee dhacaya waxay u keeni doontaa wasakh xagga jajabka.
Soo ifbaxa tignoolajiyada dahaarka waxay ku siin kartaa hagaajinta budada dusha sare, kor u qaadida kuleylka kuleylka, iyo sinnaanta qaybinta kulaylka, taas oo noqotay tignoolajiyada ugu weyn ee lagu xallinayo dhibaatadan.Saldhig graphite gudahaQalabka MOCVDdeegaanka isticmaalka, daahan dusha graphite salka graphite waa inuu buuxiyaa sifooyinka soo socda:
(1) Saldhigga graphite si buuxda ayaa loo duubi karaa, cufnaantana waa wanaagsan tahay, haddii kale saldhigga graphite waa sahlan tahay in lagu dhufto gaaska qashinka ah.
(2) Xoogga isku-dhafka ah ee saldhigga graphite waa mid sarreeya si loo hubiyo in daboolku aanu si sahlan u dhicin ka dib dhowr heerkul sare ah iyo wareegyo heerkul hooseeya.
(3) Waxay leedahay degganaansho kiimikaad oo wanaagsan si ay uga fogaato daaha oo ku fashilma heerkulka sare iyo jawiga wasakhaysan.
SiC waxay leedahay faa'iidooyinka caabbinta daxalka, heerkulka sare ee kuleylka, caabbinta shoogga kulaylka iyo xasilloonida kiimikada sare, waxayna si fiican ugu shaqeyn kartaa jawiga epitaxial GaN.Intaa waxaa dheer, iskudarka ballaarinta kulaylka ee SiC aad ayuu uga duwan yahay kan garaafka, sidaas darteed SiC waa sheyga la doorbido ee dusha sare ee saldhigga garaafka.
Waqtigan xaadirka ah, SiC-ga caadiga ah badanaa waa nooca 3C, 4H iyo 6H, iyo isticmaalka SiC ee noocyada kala duwan ee crystals waa kala duwan yihiin.Tusaale ahaan, 4H-SiC waxay soo saari kartaa qalabka awoodda sare leh;6H-SiC waa kan ugu xasilloon oo soo saari kara qalabka korantada;Sababtoo ah qaab-dhismeedka la midka ah ee GaN, 3C-SiC waxaa loo isticmaali karaa in lagu soo saaro lakabka epitaxial GaN iyo soo saarista qalabka SiC-GaN RF.3C-SiC waxa kale oo loo yaqaanaaβ-SiC, iyo isticmaalka muhiimka ah eeβ-SiC waa sida filim iyo qalab daahan, sidaas darteedβ-SiC hadda waa alaabta ugu muhiimsan ee daahan.
Waqtiga boostada: Nov-06-2023