P-nooca SiC Substrate Wafer

Semicera's P-nooca SiC Substrate Wafer waa qayb muhiim ah oo loogu talagalay horumarinta aaladaha elegtarooniga ah ee horumarsan iyo optoelectronic. Wafersyadan waxaa si gaar ah loogu talagalay in lagu bixiyo waxqabadka la xoojiyay ee awood sare iyo jawi kuleyl sare leh, taageeraya baahida sii kordheysa ee qaybaha waxtarka iyo waarta.

Doping-ka nooca P ee waferradayada SiC waxay hubisaa hagaajinta korantada iyo dallaca dhaqdhaqaaqa sideyaasha. Tani waxay ka dhigaysaa inay si gaar ah ugu habboon yihiin codsiyada ku jira korantada elektiroonigga ah, LED-yada, iyo unugyada sawir-qaadista, halkaas oo lumitaanka awoodda hoose iyo waxtarka sare ay muhiim u yihiin.

Lagu soo saaray heerarka ugu sarreeya ee saxnaanta iyo tayada, Semicera's P-nooca SiC wafers waxay bixiyaan labbis heer sare ah oo dusha sare ah iyo heerarka cilladaha ugu yar. Astaamahani waxay muhiim u yihiin warshadaha halka joogtaynta iyo isku halaynta ay muhiim u yihiin, sida hawada hawada, baabuurta, iyo qaybaha tamarta la cusboonaysiin karo.

Ballanqaadka Semicera ee hal-abuurnimada iyo wacnaanta waxay ka caddahay nooca P-nooca SiC Substrate Wafer. Markaad dhexda geliso waferradan habka wax-soo-saarkaaga, waxaad hubisaa in aaladahaagu ay ka faa'iidaysanayaan kuleyliyaha gaarka ah iyo kuwa korantada ee SiC, taasoo awood u siinaysa inay si hufan ugu shaqeeyaan xaaladaha adag.

Maalgelinta Semicera's nooca P-nooca SiC Substrate Wafer macnaheedu waa xulashada badeecada isku daraysa sayniska shay-goynta iyo injineernimada xeeldheer. Semicera waxay u heellan tahay inay taageerto jiilka soo socda ee tignoolajiyada elektiroonigga ah iyo optoelectronic, iyadoo siinaya qaybaha muhiimka ah ee looga baahan yahay guushaada warshadaha semiconductor.