Sida aan ognahay, goobta semiconductor-ka, hal silikon crystal (Si) waa sheyga aasaasiga ah ee ugu weyn ee loo isticmaalo iyo mugga ugu weyn ee adduunka. Waqtigan xaadirka ah, in ka badan 90% alaabada semiconductor waxaa lagu soo saaray iyadoo la adeegsanayo walxo silikoon ku saleysan. Iyada oo ay sii kordheyso baahida loo qabo aaladaha tamarta sare iyo kuwa korantada sare ee goobta tamarta casriga ah, shuruudo adag ayaa loo soo bandhigay xuduudaha muhiimka ah ee agabka semiconductor sida ballaca bandgap, burburka xoogga goobta korantada, heerka korantada elektaroonigga ah, iyo dhaqdhaqaaqa kulaylka. Xaaladdan oo kale, qalabyada semiconductor-ka bandgap ballaaran ayaa matalayasilikoon carbide(SiC) waxay u soo baxday sidii gacaliyaha codsiyada cufnaanta awoodda sare.
Sida semiconductor isku dhafan,silikoon carbideaad bay u yar tahay dabeecadda waxayna u muuqataa qaabka moissanite macdanta. Waqtigan xaadirka ah, ku dhawaad dhammaan carbide siliconka lagu iibiyo adduunka ayaa si macmal ah loo sameeyay. Silicon carbide waxay leedahay faa'iidooyinka qallafsanaanta sare, kuleylka kuleylka sarreeya, xasilloonida kulaylka wanaagsan, iyo burburka sare ee korantada. Waa shay ku habboon samaynta aaladaha semiconductor-ka-sare iyo awoodda sare leh.
Marka, sidee loo soo saaray aaladaha korantada ee silikoon carbide?
Waa maxay faraqa u dhexeeya habka wax soo saarka qalabka silikoon carbide iyo habka wax soo saarka ee silikoon-dhaqameed? Laga bilaabo arrintan, "Waxyaabaha ku saabsanQalabka Silicon CarbideWax-soo-saarka” ayaa mid mid u muujin doona siraha.
I
Habka socodka soo saarista aaladda carbide silikoon
Habka wax soo saarka ee qalabka silikoon carbide guud ahaan waxay la mid yihiin kuwa silikoon ku salaysan, inta badan ay ku jiraan photolithography, nadiifinta, doping, etching, samaynta filimada, khafiifinta iyo hababka kale. Qaar badan oo ka mid ah soosaarayaasha qalabka korontada ayaa dabooli kara baahida wax soo saarka ee qalabka silikoon carbide iyagoo kor u qaadaya khadadka wax soo saarka ee ku salaysan habka wax soo saarka ee silikoon. Si kastaba ha ahaatee, sifooyinka gaarka ah ee qalabka silikoon carbide waxay go'aamiyaan in qaar ka mid ah hababka wax soo saarka qalabka ay u baahan yihiin inay ku tiirsanaadaan qalab gaar ah oo loogu talagalay horumarinta gaarka ah si ay awood ugu yeeshaan aaladaha silikoon carbide si ay u adkeystaan koronta sare iyo hadda sare.
II
Hordhac modules habka carbide silicon gaar ah
Qaybaha habka gaarka ah ee carbide ee silikoon inta badan waxay daboolaan doping doping, qaab dhismeedka albaabka, etching morphology, metallization, iyo hababka khafiifinta.
(1) Doping duritaanka: Sababo la xiriira tamarta sare ee carbon-silicon tamar ee silikoon carbide, atamka wasakhda ah way adagtahay in lagu faafiyo silikoon carbide. Marka la diyaarinayo aaladaha silikoon carbide, doping-ka isgoysyada PN waxaa lagu gaari karaa oo keliya marka la geliyo ion heerkulka sare.
Doping-ga waxaa badanaa lagu sameeyaa ions wasakh ah sida boron iyo fosfooraska, qotodheerta doping-ku waa inta badan 0.1μm ~ 3μm. Ku-gelinta tamarta-sare ee ion waxay burburin doontaa qaab-dhismeedka xargaha ee walxaha carbide silicon laftiisa. Xakamaynta heerkulka sare ayaa loo baahan yahay si loo hagaajiyo waxyeelada shafka ah ee ay keento ion implantation iyo xakamaynta saamaynta annealing on qallafsanaanta dusha. Nidaamyada xudunta u ah waa ku-gelinta ion-ku-kulul-ku-kulul iyo heer-kulul-sare.
Jaantuska 1 Jaantuska jaantuska ee ion implantation iyo heerkulka sare ee saamaynta annealing
(2) Samaynta qaab dhismeedka albaabka: Tayada interface SiC/SiO2 waxay saameyn weyn ku leedahay socdaalka kanaalka iyo isku halaynta albaabka MOSFET. Waa lagama maarmaan in la horumariyo hababka oxide gate gaar ah iyo ka dib-oxidation annealing si loo magdhabo curaarta jilicsan ee interface SiC/SiO2 oo leh atomyo gaar ah (sida atamka nitrogen) si loo buuxiyo shuruudaha waxqabadka tayada sare ee SiC / SiO2 interface iyo sare. guuritaanka qalabka. Nidaamyada xudunta u ah waa oksaydhka-gate oxide oksaydhka heerkulka sare, LPCVD, iyo PECVD.
Jaantuska 2 Jaantuska jaantuska ee dhigista filimka caadiga ah ee oksaydhka iyo oksaydhka heerkulka sare
(3) Etching Morphology: Maaddooyinka Silicon carbide waxay ku jiraan dareerayaasha kiimikada, iyo xakamaynta qaab-dhismeedka saxda ah waxaa lagu gaari karaa hababka engegan ee qalalan; Qalabka maaskarada, xulashada maaskarada, gaaska isku dhafan, kantaroolka gidaarka, heerka etching, qallafsanaanta darbiga, iwm. waxay u baahan yihiin in la horumariyo iyadoo loo eegayo sifooyinka qalabka silikon carbide. Nidaamyada xudunta u ah waa dhigista filim khafiif ah, sawir-qaadista, daxalka filimka dielectric, iyo hababka engegan ee qalalan.
Jaantuska 3 Jaantuska jaantuska ee habka silikoon carbide etching
(4) Metallization: Electrode isha qalabku wuxuu u baahan yahay bir si uu u sameeyo xiriir hoose oo iska caabin ah oo wanaagsan oo leh silicon carbide. Tani kaliya uma baahna nidaaminta habka dhigista birta iyo xakamaynta xaaladda is-dhexgalka ee xidhiidhka birta-semiconductor, laakiin sidoo kale waxay u baahan tahay annealing heerkul sare si loo yareeyo dhererka caqabada Schottky oo loo gaaro xidhiidhka birta-silicon carbide ohmic. Geedi socodka xudunta u ah waa xabag bir ah oo birta ah, uumi-baxa elektarooniga ah, iyo kuleylka degdega ah.
Jaantuska 4 Jaantuska jaantuska ee mabda'a sputtering magnetron iyo saamaynta metallization
(5) Habka khafiifinta: Maaddada Silicon carbide waxay leedahay sifooyinka qallafsanaanta sare, jajabnaanta sare iyo adkaanta jabka hooseeya. Nidaamkeeda shiididda ayaa u nugul in ay keento jajab jaban oo walax ah, oo dhaawac u geysta dusha sare ee wafer-ka iyo dusha sare. Nidaamyo cusub oo wax shiididdu waxay u baahan yihiin in la horumariyo si loo daboolo baahiyaha wax soo saarka ee aaladaha carbide silicon. Hababka xudunta u ah waa khafiifinta saxannada shiida, filim ku dhegganaanta iyo diirinta, iwm.
Jaantuska 5 jaantuska jaantuska ee mabda'a shiidi/ khafiifinta wafer
Waqtiga boostada: Oct-22-2024