Nadiifin sarreeya oo foosto dahaarka leh tantalum carbide

Nadiif heersare ah oo foosto dahaarka leh oo tantalum carbide ah Sawirka

Sharaxaad Gaaban:

Nadiifnimada Sare ee Semicera's Tantalum Carbide Dahaarka Foosto waxaa si gaar ah loogu talagalay foornooyinka koritaanka crystal-ka ee Silicon carbide (SiC). Muujinaya daahan tantalum carbide ah oo nadiif ah oo nadiif ah iyo qaabdhismeed dalool ah, foostada ayaa bixisa degenaansho kulayl aan caadi ahayn iyo iska caabin u ah daxalka kiimikada. Tiknoolajiyada daahan sare ee Semicera waxay hubisaa waxqabadka waarta iyo hufnaanta hababka kobaca kristal ee SiC, taasoo ka dhigaysa doorasho ku habboon dalabka codsiyada semiconductor.

Email noogu soo dir

Faahfaahinta Alaabta

Tags Product

Kaarbiide tantalum oo dalool leh oo dahaarka lehFoosto waa tantalum carbide oo ah maaddada ugu weyn ee daahan, tantalum carbide waxay leedahay iska caabin daxalka aad u fiican, xirto iska caabin iyo xasilloonida heerkulka sare. Waxay si wax ku ool ah uga ilaalin kartaa walxaha asaasiga ah nabaad-guurka kiimikada iyo jawiga heerkulka sare. Maaddada saldhigga ahi waxay badanaa leedahay sifooyinka caabbinta heerkulka sare iyo iska caabinta daxalka. Waxay ku siin kartaa xoog farsamo oo wanaagsan iyo xasilloonida kiimikada, isla mar ahaantaana waxay u adeegtaa aasaaska taageerada eedahaarka tantalum carbide.

Semicera waxay siisaa dahaarka tantalum carbide (TaC) ee khaaska ah ee qaybo kala duwan iyo sidayaal.Nidaamka dahaadhka hogaaminaya ee Semicera wuxuu awood u siinayaa dahaarka tantalum carbide (TaC) si loo gaaro nadiif sare, xasilooni heerkul sare ah iyo dulqaad kiimiko sare leh, hagaajinta tayada badeecada ee kiristaalo SIC/GAN iyo lakabyada EPISusceptor TaC dahaarka graphite), iyo kordhinta nolosha qaybaha muhiimka ah ee reactor. Isticmaalka daahan tantalum carbide TaC waa in la xaliyo dhibaatada cirifka iyo hagaajinta tayada kobaca crystal, iyo Semicera ayaa horumar ah xalliyo technology daahan carbide tantalum carbide (CVD), gaarey heerka sare ee caalamiga ah.

Sannado badan oo horumarineed ka dib, Semicera waxay ku guulaysatay tiknoolajiyadaCVD TaCiyadoo dadaalka wadajirka ah ee waaxda R&D. Cilladaha way fududahay in ay ku dhacaan habka koritaanka SiC wafers, laakiin ka dib marka la isticmaaloTaC, farqigu waa mid muhiim ah. Hoos waxaa ku yaal isbarbardhigga waferrada leh iyo la'aanta TaC, iyo sidoo kale qaybaha Simicera ee kobaca kareemka keliya.

Hufnaanta sare ee tantalum carbide coating_ waxay wanaajisaa waxtarka wax soo saarka warshadaha waxayna yaraynaysaa kharashka dayactirka Sawirka

Qaybta tac ee koritaanka hal crystal

Dharka ka-hortagga dharka tantalum carbide dahaarka_ Waxay ka ilaalisaa qalabka xirashada iyo daxalka Sawirka sifaysan

Garaafka giraanta dahaarka leh ee TaC

leh iyo la'aanteed TaC

Kadib isticmaal TaC (midig)

Intaa waxaa dheer, Semicera'sAlaabta ku dahaaran TaCmuuji nolol adeeg dheer iyo iska caabin heerkul sare oo weyn marka la barbar dhigoDahaarka SiC.Cabbirrada shaybaadhka ayaa muujiyay in ourDahaarka TaCwaxay si joogto ah u samayn kartaa heerkul ah ilaa 2300 darajo Celsius muddo dheer. Hoos waxaa ku yaal tusaalooyin tusaalayaal ah: